上海中欣晶圆半导体科技申请改善衬底抛光片外延自掺杂的 CVD 工艺方法和系统专利，提高了芯片使用稳定性、可靠性和寿命

金融界2024年8月23日消息，天眼查知识产权信息显示，上海中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“改善衬底抛光片外延自掺杂的CVD工艺方法和系统“，公开号，申请日期为2024年4月。

专利摘要显示，本发明提供了一种改善衬底抛光片外延自掺杂的CVD工艺方法和系统，包括：步骤1：将试验测试硅片分别放置于不同的生产线CVD车间，收集样片并测试样片表面Ph含量，根据测试结果选定环境Ph含量低的车间加工；步骤2：在环境Ph含量低的车间内，在硅片背面常规沉积一层POLY膜；步骤3：在环境Ph含量低的车间内，在硅片背面POLY膜的基础上再沉积一层LTO膜；步骤4：在环境Ph含量低的车间内，利用去边机对背面LTO膜进行端面处理，使LTO膜去边距离在预设范围内。本发明提高了芯片使用稳定性、可靠性和寿命，解决了车规级芯片因硅片自掺杂效应大导致的芯片不耐压、漏电大等边缘失效异常问题。

本文源自金融界